Indiumfosfidi

Indiumfosfidi Kuvaus

Indiumfosfidi (InP) on binäärinen puolijohde, joka koostuu indiumista ja fosforista. Siinä on kasvokeskeinen kuutio ("sinkkisekoitus") kiderakenne, joka on identtinen GaAs:n ja useimpien III-V-puolijohteiden kanssa.

InP voidaan valmistaa valkoisen fosforin ja indiumjodidin reaktiosta 400 asteessa, myös puhdistettujen alkuaineiden suoralla yhdistämisellä korkeassa lämpötilassa ja paineessa tai trialkyyli-indiumyhdisteen ja fosfiinin seoksen termisellä hajottamalla.

InP:tä käytetään suurteho- ja suurtaajuuselektroniikassa, koska sen elektroninopeus on ylivoimainen verrattuna yleisimpiin puolijohteisiin, piihin ja galliumarsenidiin. Siinä on suora bandgap, mikä tekee siitä hyödyllisen optoelektroniikan laitteille, kuten laserdiodeille. InP:tä käytetään myös optoelektronisten laitteiden substraattina, joka perustuu epitaksiaaliseen indiumgalliumarsenidiin.

Indiumfosfidisovellukset ja niihin liittyvät teollisuudenalat

● Optoelektroniset komponentit

● Nopea elektroniikka

● Aurinkosähkö

● Keramiikka

● Aurinkoenergia

● Tutkimus ja laboratorio

Kemialliset tunnisteet

Indiumfosfidin ominaisuudet (teoreettinen)

Suositut Tagit: indiumfosfidi, Kiina, toimittajat, osta, myy, valmistettu Kiinassa